安靠分析封测行业决定质量的因素
在我们的印象中,日本的制造业往往给人以高端先进的感觉,日本的产品都以质量可靠著称,而日本的工人都以执着的匠人精神而享誉全球。然而就在近几年,日本制造业的丑闻频频被爆出。从...
国产芯片何去何从?关于中国芯片这些话如鲠在喉
作为一家以AI、云计算、通信等技术为核心关注点的自媒体,芯片是永远无法绕开的话题。脑极体最早开始关注芯片是在2017年,彼时华为海思领先苹果发布了全球第一款移动AI芯片麒麟970;梁孟...
英特尔打造智能制造工厂 国民技术推进数字人民币创新
近年来,面对市场需求多样化、品牌迭代迅速,特别是受疫情、缺芯、原材料涨价等影响,全球供应链受到前所未有的挑战,兰石研究院作为兰石集团牵头重大项目的先锋队,在热交换系统、锻...
【节能学院】电气火灾监控系统在德令哈市新能源有轨电车示范线工程的应用
点击蓝字关注我们摘要介绍德令哈市新能源有轨电车示范线工程采用剩余电流式电气火灾探测器,就地组网方式,通过现场总线通讯远传至后台,从而实现剩余电流式电气火灾监控系统的搭建,...
2021-11-19 标签:监控系统 69
研究碳化硅衬底和外延的实验报告
摘要 本发明提供一种能够提供低位错缺陷的高质量衬底的单晶碳化硅锭,和由此获得的衬底和外延晶片。 它是一种包含单晶碳化硅的单晶碳化硅锭,该单晶碳化硅含有浓度为2X1018 cm-3至6X 1020...
前有上海微电子被列“清单”,后有ASML控诉,半导体设备国产化难度升级
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)北京时间2月7日,上海微电子装备(集团)股份有限公司(以下简称:上海微电子)为国内首台2.5D / 3D先进封装光刻机举行了发运仪式,对于这款设备大家其实都...
GaN衬底制造过程中N面氮化镓清洗工艺的研究报告
氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性,已成为短波长发射器(发光二极管和二极管激光器)和探测器等许多光电应用的诱人半导体,以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化...
SPM光刻工艺的研究报告
在这篇文章中,我们华林科纳演示了在钛薄膜上形成纳米尺度阳极氧化物的设备,以及在接触或半接触模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM对其进行表征。...
柔性振动盘视觉上料系统
柔性振动盘是一种适用于工业自动化生产中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盘、柔性振盘、柔性供料器等。弗莱克斯柔性振动盘有五种规格,分别是FF100-FF500,能够解决大小不一...
2021-02-20 标签:振动盘 427
薄膜MLCC的技术报告
本文讨论了传统MLCC技术的最新技术,并将该技术与潜在的MLCC薄膜制造技术进行了比较,讨论了MLCC制造、相关限制、潜在制造技术和设计理念方面的薄膜技术的实用性。同时还考虑了电子行业的...
碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉积方法
摘要 本文提供了在衬底表面上沉积碳化硅薄膜的方法。这些方法包括使用气相碳硅烷前体,并且可以釆用等离子体增强原子层沉积工艺。该方法可以在低于600“C的温度下进行,例如在大约23丁...
东芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模块
?东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块:额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”;额定电压为1700V、额定漏极电流为400A的“MG400V2YMS3”...
使用超临界二氧化碳剥离碳化光刻胶的实验
关键词:超临界清洗,离子注入光刻胶,光刻胶剥离 摘要 本文提出了一种有效的、环保的干剥离方法,使用超临界二氧化碳(SCCO2)系统,在40℃到100℃和压力从90巴到340巴时去除离子植入的光刻剂...
关于氧化锌的基本性质和应用的报告
本文概述了氧化锌的基本性质,包括晶体结构、能带结构和热性质,并介绍了其应用前景、氧化锌块体、薄膜和纳米结构,氧化锌的机械性质、基本电子和光学性质以及潜在的应用。 晶体结构...
吉方定制化服务,持续为客户提升价值
吉方工控拥有完善的供应链体系,多年来与英特尔保持战略合作关系,与国产芯片厂商也有良好的互动。在以客户为导向的工作原则指导下,我们对供应链进行了科学的管理和严格的品控。...
Transphorm的快速充电器和电源适配器用GaN器件
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,该公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV场效应晶体管(FET)出货量突破100万大关。这一里程碑进一步证实...
2022-01-16 标签:充电器FET电源适配器GaNTransphorm 2676
O极和Zn极ZnO单晶的蚀刻行为
引言 氧化锌是最广泛研究的纤锌矿半导体之一。氧化锌不仅作为单晶,而且以多晶薄膜的形式。其显著的性能,如宽直接带隙3.37 eV,大结合强度内聚能1.89 eV,熔点2248 K,高激子结合能60 meV,即...
在氯化钠-异丙醇溶液中的表面钝化和形态
引言 原子平面的制备是半导体基板上原子尺度操作的必要前提。由于自组装现象或使用原子探针技术操纵单个原子,只有原子平面的表面才能产生可重复制造纳米级原子结构的机会。原子平坦...
微气泡对光刻胶层的影响
关键词:氧气、微气泡、光刻胶、高剂量离子注入、气水界面 介绍? ??? 微气泡是一种很有前途的环保光刻胶去除方法的候选方法。已经证明,臭氧微气泡可以去除硅片上的光刻剂,即使被高...
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